پژوهشگران دانشکدگان فنی دانشگاه تهران عملکرد ترانزیستورهای نسل آینده را بهبود دادند
پژوهشگران دانشگاه تهران در مطالعه‌ای با بررسی عملکرد تک‌لایه WSi₂N₄ در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای تونلی(TFET)، راهکاری برای افزایش بهره‌وری انرژی و بهبود عملکرد ادوات الکترونیکی ارائه کردند. نتایج این پژوهش در مجله معتبر Journal of Physics and Chemistry of Solids منتشر شده است.
ادامه مطلب