پژوهشگران دانشکدگان فنی دانشگاه تهران عملکرد ترانزیستورهای نسل آینده را بهبود دادند

به گزارش روابط‌عمومی دانشگاه تهران، پژوهشگران دانشگاه تهران در پژوهشی تازه، قابلیت‌های ماده دوبعدی WSi₂N₄ را در ساخت ترانزیستورهای نسل جدید مورد بررسی قرار دادند و نشان دادند این ماده می‌تواند نقش مؤثری در توسعه ادوات الکترونیکی کم‌مصرف و پرسرعت ایفا کند.

در این پژوهش، عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET) مبتنی بر تک‌لایه WSi₂N₄ با استفاده از شبیه‌سازی‌های پیشرفته مقایسه شد. نتایج نشان داد ترانزیستورهای NTFET از نظر بهره‌وری انرژی عملکرد بسیار مطلوبی دارند؛ به‌گونه‌ای که شیب زیرآستانه آن‌ها به ۱۸.۵ میلی‌ولت بر دهه کاهش یافته که منجر به کاهش توان مصرفی خواهد شد. همچنین ترانزیستورهای NFET بیشترین جریان روشن یعنی ۴۹۴ میکرو آمپر بر میکرومتر و تأخیر زمانی بسیار پایین را ثبت کردند که بیانگر عملکرد مطلوب آن‌ها در کاربردهای الکترونیکی آینده است.

این دستاورد می‌تواند مسیر توسعه نسل جدید مدارهای الکترونیکی با مصرف انرژی کمتر، سرعت بالاتر و بازده بیشتر را هموار کرده و در طراحی تجهیزات الکترونیکی پیشرفته و فناوری‌های کم‌مصرف مورد استفاده قرار گیرد.

این پژوهش توسط حمیدرضا قنبری‌خرّم فارغ‌التحصیل دانشگاه تهران، دکتر صمد شیخایی عضو هیأت علمی دانشکده برق و کامپیوتر دانشکدگان فنی دانشگاه تهران، دکتر شعیب بابایی توسکی و دکتر علیرضا کوکبی از اعضای هیأت علمی دانشگاه صنعتی همدان انجام شده و نتایج آن در مجله Journal of Physics and Chemistry of Solids منتشر شده است.

این مقاله در پیوند زیر قابل مشاهده است:

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0022369725004020